长鑫存储宣布其4F² DRAM架构在研发方面取得新进展，但美光科技对此持有不同的看法。10月21日，美光总裁斯科特·德波尔在一次技术研讨会上指出，美光在过去20年里也对4F² DRAM进行了深入研究，但最终未选择这一架构。德波尔认为，4F²的制造复杂性和成本较高，且在先进制程方面存在难以克服的物理限制。此外，他提到关于4F²和6F²的比较中的一些论断可能引发误解，因为决定DRAM存储密度的要素不仅仅是存储单元的面积。

DRAM常用于服务器、电脑和手机等设备的运行内存，由晶体管控制数据存取，并通过电容存储数据。4F²与6F²分别表示存储单元的平面面积，其中F表示制造工艺的最小尺寸。理论上，4F²占用面积较小，能够在相同空间内集成更多的存储单元，但实际的存储密度还取决于电容的距离、尺寸及其他制造工艺因素。

长鑫在10月10日宣布其4F² DRAM架构的进展，指出其研发的VSG晶体管采用垂直沟道结构，有助于改善微缩过程中遇到的漏电和短沟道效应，同时减少平面空间的占用，为提高存储密度奠定基础。长鑫还在推进混合键合技术，计划于2026年底推出结合4F²架构与该技术的新一代DDR5 RDIMM内存产品。

德波尔强调，影响DRAM存储密度的因素不止存储单元的面积，还包括电容的尺寸与间距。他指出，尽管晶体管采用更加紧凑的布局，电容仍需具备足够的储电能力，满足读取和写入的需求。如电容间距不能继续缩小，从6F²转向4F²也未必能带来存储密度的提升。他表示，4F²在较早工艺节点上可能可行，但随着微缩的推进将遇到物理限制，最终会引导行业转向3D DRAM。

美光则继续推进6F²架构的平面微缩，其技术路线图显示，1γ节点已进入大规模生产，并首次引入EUV极紫外光刻技术。预计下一代1δ节点将在2027年下半年进入生产阶段，且将针对HBM5和其他高性能内存进行优化。在更长期的制程计划中，美光还在研发1ε节点，计划使用晶圆键合技术，并将探索高数值孔径EUV光刻及新材料。

德波尔提到，3D DRAM将采用完全垂直的结构，优化方法将与现有DRAM不同，但该技术的具体量产时间尚未确定。同时，美光的HBM4已进入高量产阶段，计划在2027到2030年间推出HBM4E、HBM5等产品，以及完成垂直内存的多项迭代设计。

此外，美光在NAND闪存方面的下一代Gen11产品预计于2027年下半年进入量产，堆叠层数将超过400层，并同样运用晶圆键合技术提高存储密度。根据市场研究数据，2026年第二季度，美光在全球DRAM和NAND市场的营收分别占24%和约15%，均居全球第三，而长鑫存储在DRAM市场的份额为10%，排名第四。